Транзисторы полевые 2

Транзисторы NPN Part number Заметки Кол-во Цена $ Фото (корпус) 9435A (FDS9435A) Транзистор, PowerTrench, P-канал, 30В 5.3А [SO-8] 4 0,5 V3055 (MMFT3055V) Power MOSFET 1 Amp, 60 Volts N−Channel SOT−223 2 2 IRFM014 PD:2.1W ●VD:60V ●ID:2.7A MOSFET | N-CHANNEL 1 2 sSN (SN7002N) MOSFET N-Channel 60V 0.2A 9 0,5 K2717 (2SK2717) Транзистор, N-канал [TO-220F] Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5 1 1,5 STM9435 P -C hannel E nhancement Mode F ield E ffect T ransistor Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.8 A 1 1 9430 (Si9430DY) P-channel SMD MOSFET -20V -5.8A SO-8 3 0,5 J303 (2SJ303) P-channel V-MOSFET transistor, Uds=60V, Ids=14A 1 1,5 K2671 (2SK2671) Полевой транзистор, N-канальный, 900В 5А 40Вт 1 2,5 КП501А Транзистор, N-канальный с изолированным затвором [TO-92 / КТ-26] Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 240 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1 2 0,3 A2737 (μPA2737) P-channel MOSFET –30 V, –11 A, 13 mΩ 1 2 K2651 (2SK2651) Транзистор, N-канал [TO-220F] Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6 1 2 4425 (SI4425) (TSM4425) Транзистор, P-канал, -30В -8.8А [SO-8] 1 2 IRFU410A Transistor N Channel MOSFET - CASE: TO251 BVDSS= 520 V RDS(on)= 10.0Ω ID= 1.2 A 1 2,5 КП505А ранзистор, N-канал, 50В, 0.5Вт [TO-92 / КТ-26] 2 0,5 J113 Транзистор N-канал 30В 50мА 350мВт [TO-92] 3 0,5 K1459 (2SK1459) N-Channel Silicon MOSFET Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A 1 4