Транзисторы NPN 4
- Услуга
от 1 руб.
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Описание
Транзисторы NPN
Part number
Заметки
Кол-во
Цена $
Фото (корпус)
p1P (PMBT2222A)
Транзистор NPN 40В 600мА [SOT-23]
1
0.5
CE (2SC3325)
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A
1
0,5
DNV (2SD2153-V)
Биполярный NPN транзистор,30, 2A, 500mW, 110MHz, B=820..1800
1
1
SSB (KSC2982-B)
Биполярный NPN транзистор,30V, 2A, 500mW, B=200..330, >150MHz
1
1,5
D2092 (KTD2092) (2SD2092)
Транзистор NPN 100В 3А 25Вт [TO-220IS]
1
1
C2216 (2SC2216)
TRANSISTOR SILICON NPN / TV-IF>300MHz...
1
2
1F (BC847B)
Транзистор NPN 45В 100мА, [SOT-23]
1
0,2
YR (2SD1484K)
TRANS NPN 50V 0.5A SOT-346
1
0,5
R24 (FJV3104R)
• Switching circuit, Inverter, Interface circuit Driver Circuit,
• Built in bias Resistor (R1=47KΩ, R2=47KΩ)
• Complement to FJV4104R
1
0,5
D1990 (2SD1990)
60V 8A
1
1,5
D1760 (2SD1760)
POWER TRANSISTOR 50V / 3A CASE: TO-252
1
3
КТ940А1
Структура: NPN
Макс. напряжение: 250 В
Корпус: КТ-26
Максимально допустимый ток: 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц: 90
Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 Вт
2
0,2
BD135
Транзистор NPN 45В 1.5А 12.5Вт [SOT-32]
1
0.5
C9014 (KTC9014) (2SC9014)
Транзистор NPN 60В 0.15А 0.625Вт 60МГц
1
0.5
C2458 (2SC2458)
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
Напряжение коллектор-база, не более: 50 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 0.15 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 700
Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
1
0.5
КТ6117А
Транзистор NPN 160В 600мА 0.625Вт [TO-92]
1
0.3
КТ315Г1
Биполярный транзистор, NPN, 35В, 0.1А, 0.15Вт, 250МГц, h21e=50…350 [КТ-26 / TO-92]
7
0,2
BC238
TRANS NPN 25V 0.1A TO-92
5
0,5
C3280 (2SC3280)
Collector-Emitter Voltage: 160 V
Collector-Base Voltage: 160 V
Emitter-Base Voltage: 5 V
Collector Current: 12 A
Collector Dissipation - 120 W
DC Current Gain (hfe) - 55 to 160
Transition Frequency - 30 MHz
1
5
C3855 (2SC3855)
Collector-Emitter Voltage: 140 V
Collector-Base Voltage: 140 V
Emitter-Base Voltage: 6 V
Collector Current: 10 A
Collector Dissipation - 100 W
DC Current Gain (hfe) - 50 to 180
Transition Frequency - 20 MHz
1
4
C4493 (2SC4493)
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
1
2
C4468 (2SC4468)
Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=140В, Vcbo=200В, Pd=100Вт, hFE= 50…80 [TO-3PN]
1
2
H945
NPN silicon planar transistor for universal purpose / AF driver / low switching applications
Collector-Emitter Voltage: 50 V
Collector-Base Voltage: 60 V
Emitter-Base Voltage: 5 V
Collector Current: 0.15 A
Collector Dissipation - 0.25 W
DC Current Gain (hfe) - 90 to 600
Transition Frequency - 250 MHz
3
0.5
Информация для заказа
- Цена: от 1 руб.