Транзисторы NPN 4

Транзисторы NPN Part number Заметки Кол-во Цена $ Фото (корпус) p1P (PMBT2222A) Транзистор NPN 40В 600мА [SOT-23] 1 0.5 CE (2SC3325) Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 1 0,5 DNV (2SD2153-V) Биполярный NPN транзистор,30, 2A, 500mW, 110MHz, B=820..1800 1 1 SSB (KSC2982-B) Биполярный NPN транзистор,30V, 2A, 500mW, B=200..330, >150MHz 1 1,5 D2092 (KTD2092) (2SD2092) Транзистор NPN 100В 3А 25Вт [TO-220IS] 1 1 C2216 (2SC2216) TRANSISTOR SILICON NPN / TV-IF>300MHz... 1 2 1F (BC847B) Транзистор NPN 45В 100мА, [SOT-23] 1 0,2 YR (2SD1484K) TRANS NPN 50V 0.5A SOT-346 1 0,5 R24 (FJV3104R) • Switching circuit, Inverter, Interface circuit Driver Circuit, • Built in bias Resistor (R1=47KΩ, R2=47KΩ) • Complement to FJV4104R 1 0,5 D1990 (2SD1990) 60V 8A 1 1,5 D1760 (2SD1760) POWER TRANSISTOR 50V / 3A CASE: TO-252 1 3 КТ940А1 Структура: NPN Макс. напряжение: 250 В Корпус: КТ-26 Максимально допустимый ток: 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц: 90 Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 Вт 2 0,2 BD135 Транзистор NPN 45В 1.5А 12.5Вт [SOT-32] 1 0.5 C9014 (KTC9014) (2SC9014) Транзистор NPN 60В 0.15А 0.625Вт 60МГц 1 0.5 C2458 (2SC2458) Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 700 Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц 1 0.5 КТ6117А Транзистор NPN 160В 600мА 0.625Вт [TO-92] 1 0.3 КТ315Г1 Биполярный транзистор, NPN, 35В, 0.1А, 0.15Вт, 250МГц, h21e=50…350 [КТ-26 / TO-92] 7 0,2 BC238 TRANS NPN 25V 0.1A TO-92 5 0,5 C3280 (2SC3280) Collector-Emitter Voltage: 160 V Collector-Base Voltage: 160 V Emitter-Base Voltage: 5 V Collector Current: 12 A Collector Dissipation - 120 W DC Current Gain (hfe) - 55 to 160 Transition Frequency - 30 MHz 1 5 C3855 (2SC3855) Collector-Emitter Voltage: 140 V Collector-Base Voltage: 140 V Emitter-Base Voltage: 6 V Collector Current: 10 A Collector Dissipation - 100 W DC Current Gain (hfe) - 50 to 180 Transition Frequency - 20 MHz 1 4 C4493 (2SC4493) Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70 1 2 C4468 (2SC4468) Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=140В, Vcbo=200В, Pd=100Вт, hFE= 50…80 [TO-3PN] 1 2 H945 NPN silicon planar transistor for universal purpose / AF driver / low switching applications Collector-Emitter Voltage: 50 V Collector-Base Voltage: 60 V Emitter-Base Voltage: 5 V Collector Current: 0.15 A Collector Dissipation - 0.25 W DC Current Gain (hfe) - 90 to 600 Transition Frequency - 250 MHz 3 0.5