Установка для травления Applied Materials CENTURA® AVATAR™  - «Научное и производственное оборудование | лабораторное оборудование | Theseus Lab» в Чехии

Установка для травления Applied Materials CENTURA® AVATAR™

Под заказ
Цену уточняйте
Кредит от наших финансовых партнеров.   Детальнее
Добавить в избранное
Достижения продавца
3 года
на портале
Способы оплаты
Безналичный расчет
Способы доставки
Самовывоз, Транспортная компания
Характеристики
Основные
Производитель

Бренд, торговая марка или название предприятия-производителя, под знаком которого изготовлен товар. «Собственное производство» означает, что товар изготовлен продавцом либо не сертифицирован.

Applied Materials
Страна производитель США
Описание

Изготовление флэш-памяти с помощью традиционной планарной технологии приближается к критическим ограничениям пропорциональной миниатюризации перехода на 3D-решения. Это создает значительные проблемы для травления диэлектрика, особенно элементов с большим относительным удлинением (HAR). Кроме того, 3D архитектура И-НЕ включает в себя несколько чередующихся диэлектрических слоев, создание которых увеличивает требования, предъявляемые к системе травления. Она должна быть способна тщательно контролировать профиль по всей пластине для отношений ширины к длине до 80: 1, иметь высокую производительность и обладать высокой селективностью вольфрама для характерных контактов 3DИ-НЕ ступенчатой формы.

 

Установка AppliedAvatar обладает пошаговой настройкой температуры и возможностью контроля, которые позволяют установить правильное заданное значение температуры и обеспечивать её постоянство для каждого этапа процесса травления, с трехчастотной мощностью и многозонной подачей газа для достижения необходимых глубин травления с эталонным контролем профиля. С помощью данной установки можно изготавливать высокопроизводительные, надежные устройства следующего поколения с 97% отношением критических размеров по всей пластине и без прогиба боковой стенки. Более того, высокоселективное травление дает незначительную потерю основного материала контакта.

 

 

Данные функциональные возможности необходимы для создания сложного ступенчатого контакта 3D И-НЕ. Их создание требует высокотехнологичного контроля и регулировки ионной энергии, температуры пластины и пассивирования для достижения многоуровневого контактного травления за один проход без разрушения вольфрама (или следующего материала контакта) в нижней части самых мелких контактных отверстий.

 

Поддержание отвечающей требованиям селективности и целостности маски является необходимым, но очень сложным условием для травления с большим относительным удлинением. Для этих применений с помощью настройки высокочастотного источника можно создать более высокую плотность плазмы, что позволяет получить более высокую скорость травления, не ухудшая профиль и избирательность.

Отзывы о товаре
Об этом товаре пока что нет отзывов.
Вы можете оставить первый отзыв.
50% положительных из 28 отзывов
Актуальность цены 33%
Актуальность наличия 50%
Актуальность описания 33%
Выполнение заказа в срок 22%
  • 5
    Отлично
    Очень оперативно и полно предоставили информацию по интересующему товару
    • Цена актуальна
    • Наличие актуально
    • Описание актуально
    Комментарий компании:
    Спасибо за Ваше мнение. Надеемся на дальнейшее сотрудничество.
  • 5
    Отлично
    Я получил исчерпывающий ответ на свой вопрос
    • Цена актуальна
    • Наличие актуально
    • Описание актуально
    Комментарий компании:
    Здравствуйте. Обращайтесь, будем рады сотрудничеству.
Установка для травления Applied Materials CENTURA® AVATAR™
Под заказ
Цену уточняйте