Описание:

RIE-400iPB – система травления с использованием индуктивно-связанной плазмы способная генерировать плазму с очень высокой плотностью, которая позволяет травление кремния с очень высокими скоростями. Эта система работает с подложками до 100 мм и была создана как младшая модель системы RIE-800iPB (работа с подложками до 200 мм) Система RIE-400iPB имеет возможность травления и оксида кремния SiO2 минимальным временем перестроения на процесс (опция). Таким образом в одной установке пользователь получает возможность травления как Si так и SiO2.

Применение:

• Высокое качество и надежность
• Очень «гибкая» комплектация установок под требования заказчика.
• Ионный источник для очистки поверхности подложек перед напылением (опция).
• Система откачки: стандартно - криогенный и безмасляный спиральный насосы. Возможны варианты.
• Небольшая камера позволяет быстро откачивать установку, выходить на рабочий режим и осуществлять несколько циклов загрузки/выгрузки в течение дня.
• Для более быстрой смены подложек и материалов и при высоких требованиях к чистоте процесса установку можно дооснастить двумя загрузочными камерами.
• Опции: перемещение пластин в/из шлюза, охлаждение, наклон и др.

Преимущества систем DRIE SAMCO:

• Наиболее быстрые в индустрии скорости травления (свыше 50 мкм/мин)
• Высокая селективность, сыше 250:1 (Si к фоторезисту)
• Однородность травления ± 5% или лучше (на подложках до 200 мм в диаметре)
• Высокое аспектное соотношение (лучше чем 40:1)
• Низкая шероховатость стенок, гладкий профиль стенок (неоднородности шероховатости менее чем 0,1 мкм)
• Патентованная технология против подтрава стенок на дне траншей (структур) с применением двух ВЧ мощностей при травлении структур SOI.
• Уникальная особенность «анти-наклон», которая позволяет получать высокую однородность
• Электростатический прижим подложек и охлаждение обратной стороны гелием (для более точного контроля температуры подложек)
• Смена ICP-источника (головы) для травления DRIE или SiO2