Характеристики и описание
- Страна производительКитай
- Тактовая частота: 3200
- Пропускная способность: 25600
- Задержка (тест): 22-22-22
- RAS to CAS Delay (tRCD): 22
- Row Precharge Delay (tRP): 22
- Ссылка на сайт поставщика/вендора: https://semiconductor.samsung.com/dram/module/udimm/m378a4g43ab2-cwe/
- Вес упаковки (ед): 0.032
Модуль памяти Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 3200, 1.2V M378A4G43AB2-CWE
Код: 1228372Под заказ
от 363.69 руб.
Минск ∙
80%
Доставка
Оплата и гарантии